Фотоэлементы с p-n-переходом
При освещении p-n-перехода в нем возникает э. д. с. Это явление используется в фотоэлементах с запирающим слоем, которые могут служить индикаторами лучистой энергии, не требующими внешнего питания, и преобразователями этой энергии в электрическую энергию.
Из p-полупроводника методом диффузии изготовляют тонкий слой, обладающий n-проводимостью. Между этим слоем и p-полупроводником образуется p-n-переход. При отсутствии света переход находится в равновесном состоянии и в нем устанавливается равновесный потенциальный барьер. При облучении перехода в p-области генерируются электронно-дырочные пары. Электроны, образовавшиеся в p-области, диффундируют к p-n-переходу и, подхватываясь контактным полем, перебрасываются в n-область. Дырки же преодолеть барьер не могут и остаются в p-области. Поэтому p-область заряжается положительно, n-область — отрицательно и в p-n-переходе появляется дополнительная разность потенциалов, приложенная в прямом направлении. Ее называют фотоэлектродвижущей силой.
 |
Принципиальная схема фотоэлемента (КПД ~15%)
